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| 品牌 | 其他品牌 | 应用领域 | 综合 |
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Beam Imaging离子枪系统真空组件
Beam Imaging Solutions （BIS） 提供两种离子枪系统类型。每个喷枪都包括一个离子源组件、散热器、加速和聚焦系统、垂直偏转板、一个 6 英寸长的速度过滤器和一个速度过滤器保护环控制单元。组件组装在装有法兰的真空外壳中，用于安装到客户的设备上。保护环控制单元可以安装到标准的 19 英寸机架面板中。如果需要，可以订购定制法兰和附加端口。当喷枪需要光束减速器时，包括一个适配器法兰（型号 G-1-D 和 G-2-D 离子枪）。Beam Imaging 还为上述离子枪系统提供控制单元（E 系列）。控制单元包括操作离子喷枪所需的所有电源以及用于离子源和真空计控制的冷却装置。所有离子束组件也可单独或成套提供（离子源、散热器、速度过滤器、提取和聚焦透镜系统）。这些完整的套件称为离子束套件。
G-1 型可在 500 eV 至 10 keV（可选 20keV）的能量范围内运行。如果需要小于 500 eV 的离子束能量，我们建议使用 G-1-D 型，其中包括 400 型或 450 型减速器，可以产生能量低至 1 eV 的质量选择离子束。G-1 系列型号的真空外壳由抛光不锈钢管制成，直径为 6 英寸，长约 19 英寸。长度包括 500 型绝缘子安装法兰。G-1-D 的总长度为 23 1/8 英寸，与 400 型或 450 型减速器一起使用。两个离子枪外壳都配有一个 6“ ID 粗加工端口。G-1 和 G-1-D 型的标准出口法兰是 8 英寸外径和 6 英寸内径的同平法兰。然而，G-1-D 型在与减速器一起使用时有一个 2 3/4 英寸的出口法兰（仅限 400 型）。G-1 和 G-1-D 型都适合真空至 10-7Torr 的 Var，而不是为 bakeout 设计的。
G-2 和 G-2-D 离子枪均设计为在 500 eV 至 10 keV（可选 20keV）能量范围内运行。然而，G-2-D 离子枪有可选的 400 型或 450 型减速器，可在低至 1 eV 的电压下使用。G-1 和 G-2 系列离子枪之间有两个区别。G-2 离子枪设计为可烘烤至 200oC，用于超高真空 （UHV） 系统。速度过滤器上的磁线圈封装在不锈钢护套中，并采用液体冷却，因此允许更高的电流和磁场强度。BIS 建议使用 CU-1 冷却装置进行磁体和离子源冷却。G-2 和 G-2-D 的尺寸分别与 G-1 和 G-1-D 相同。G-2 和 G-2-D 的设计都适合真空到 10-9托。
| 分辨率 | 米/天 米 ~ 400 |
|---|---|
| 离子电流 | 高达 20 微安聚焦，100 微安非聚焦 |
| 离子源 （DC） | 灯丝 16 V – 20 A，阳极 0 – 150 V，0.4 A |
| 离子源 （RF） | 0-500 瓦，13.56 MhZ |
| 镜头系统 | 0 – 10 kV，1 mA 加速电压，0 – 10 kV，0.5 mA 聚焦电压 |
| 垂直偏转板 | 0 – 400 伏，1mA |
| Velocity Filter Magnet | G-1 型：9.5 V，3 A，G-2 型：28 V，14 A 连续运行 |
| 速度过滤器偏转板 | 0 – 350 V， 50 mA （浮动输出） |
| 型 | G-1、G-1-D、G-2、G-2-D |
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